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Pour réduire la taille du processeur, Intel a réalisé en silicate d'hafnium plutôt qu'en dioxyde de silicium la petite couche isolante (en fait un diélectrique) séparant la porte (gate) de la source et du drain. La porte elle-même est devenue mét
Comme prévu, la gravuregravure des circuits électroniques avec une finesse de 45 nanomètresnanomètres (nm, millionième de millimètre) deviendra réalité cette année. Hasard ou pas, IBMIBM et IntelIntel ont annoncé quasiment en même temps que cette nouvelle génération serait prête à l'échelle industrielle dans les mois qui viennent et que les produits commerciaux seront disponibles dès le second semestre.
On finit par s'habituer à ces annonces chroniques de finesses toujours réduites, mais c'est oublier que cette descente d'un cran repose sur des évolutions techniques réelles. On ne peut pas, par exemple, utiliser les mêmes matériaux pour les circuits actuels gravés à 65 nm et pour cette nouvelle famille à 45 nm.
IBM n'a pas été prolixe de détails sur ses méthodes. Mais Intel a indiqué qu'il avait eu recours à un nouveau matériaumatériau, le silicatesilicate d'hafniumhafnium, pour la fabrication des transistors, l'élément de base d'un processeur, qui en compte des millions (291 millions dans le Core 2 Duo à 65 nm). Ce diélectriquediélectrique a été choisi pour sa grande permittivitépermittivité, cinq fois plus importante que le dioxyde de siliciumsilicium utilisé actuellement. La permittivité (mesurée en faradsfarads/m) est la capacité à laisser passer un champ électriquechamp électrique. Elle détermine notamment la capacité (en farads) d'un condensateurcondensateur. A l'intérieur d'un transistor, un diélectrique est intéressant pour retenir les charges électriques, comme dans un condensateur. Avec un diélectrique à forte permittivité (high-K en anglais), on obtient la même capacité pour une épaisseur plus faible. Voilà comment miniaturiser davantage.
Un peu moins de silicium
Intel explique également avoir utilisé une nouvelle composition pour les électrodesélectrodes de la porteporte (ou grille, ou encore gate en anglais), en métalmétal et non plus en silicium. Gordon Moore, cofondateur d'Intel, peut-être un peu partial, se montre particulièrement enthousiaste. Selon lui, ces deux innovations « apportent la plus grande amélioration dans la technologie du transistor depuis l'introduction du polysilicium dans les circuits MOS dans les années 1960 ».
Cette gravure à 45 nm sera présente dans la prochaine génération de Core 2 Duo, Core 2 Quad et Xeon. Mais la gravure à 32 nm est déjà en préparation, notamment chez Intel et chez AMD, qui ont déjà commencé à investir dans les usines. Ce sera pour 2009 ou 2010...
