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Un transistor refroidi à - 270 degrés Celsius a atteint la fréquence record de 500 GHz
(Crédits : IBM)
Selon Bernie Meyerson, qui dirige les recherches sur les semi-conducteurssemi-conducteurs chez IBMIBM, sa cadence est 100 fois supérieure à celle des transistors présents dans les microprocesseurs de nos ordinateurs, et 250 fois supérieure à celle des puces de nos téléphones portables. Fruit de la collaboration d'IBM et de l'Institut des technologies de Géorgie, ce composant tire sa vitessevitesse étonnante de l'alliance du germaniumgermanium et du siliciumsilicium.
En effet, les ingénieurs ont ajouté au silicium du transistor une couche de germanium, un semi-conducteur dont le symbole est Ge et le numéro atomiquenuméro atomique 32. Appliqué sur le canal du transistor, il offre de meilleures performances tout en consommant moins d'énergieénergie.
A température ambiante, ce transistor atteignait déjà la fréquence de 350 GHz. En le refroidissant à environ - 270 degrés Celsiusdegrés Celsius, il est monté jusqu'à 500 GHz !
D'après Meyerson, cette avancée montre que nous sommes encore loin d'avoir atteint les limites en matièrematière de performance des puces au silicium. Il estime que, d'ici quelques années, cette technologie permettra de transférer un film en qualité DVD par le biais d'un réseau WiFiWiFi ultrarapide en moins de 5 secondes !
Seul obstacle à la généralisation de ce type de transistors : le prix de l'utilisation du germanium, qui reste prohibitif. Ainsi, il s'adresse en premier lieu à des secteurs de pointe comme l'aérospatial et la défense.
Les ingénieurs d'IBM ne comptent pas s'arrêter en si bon chemin, puisque leur prochain objectif est à présent d'atteindre les 1000 GHz !