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Mémoire à résistancerésistance (ReRam), mémoire magnétique (MRam), mémoire à changement de phasemémoire à changement de phase (PRam, ou PCM) voire mémoire à nanotubes : les technologies se bousculent pour remplacer un jour les DRam de la mémoire vivemémoire vive (et volatile) des ordinateurs, par des mémoires permanentes. La PRam semble bien placée dans la course puisque Samsung a déjà réalisé des puces commercialisées l'an dernier et offrant 512 Mo. IBMIBM travaille également sur de tels composants tandis qu'IntelIntel et STMicroelectronics en sont déjà à tenter, au laboratoire, la fabrication des mémoires dont les cellules peuvent prendre quatre états et donc mémoriser deux bits.
Ces circuits sont pour l'instant utilisables en tant que mémoires internes permanentes. Le processeur peut à tout moment atteindre, pour lire ou écrire (on dit « adresser ») n'importe quelle cellule mémoire. Ils sont d'ailleurs de type « Nor », pour « non ou », en algèbre booléen, ce qui désigne un type de porteporte logique. Ces mémoires conviennent bien, par exemple, pour installer les logiciels systèmes des appareils mobilesmobiles.
Les mémoires des cartes SD, des SSD (Solid State Disk) et des clés USB, elles, s'écrivent et se lisent comme un disque durdisque dur, en transférant des séries de données. Elles sont pour la plupart de type Nand (« non and », soit « non et »). C'est ce genre de mémoire de massemémoire de masse, mais de type Nor, que vient de réaliser l'équipe de Steven Swanson, au Non-Volatile Systems Laboratory, à l'Université de Californie San Diego, à l'aide de PCM (Phase-Change Memory). Baptisé Onyx, leur carte mémoirecarte mémoire est un circuit de grande taille, complet, fonctionnel et qui se connecte au standard PCIPCI sur un ordinateur classique. Il est vu par le PCPC comme un SSD. Le circuit décrit par l'équipe apporte 10 Go. Il a été réalisé avec des cellules mémoire produites par la société MicronMicron.
Une barrette mémoire PCM au format DIMM. © Non-Volatile Systems Laboratory
Progrès nécessaires
Rappelons qu'une mémoire à changement de phase enregistre l'information dans un matériaumatériau vitreux qui peut devenir cristallin sous l'effet d'une impulsion électrique. Le procédé est semblable à celui des DVD-RW mais sur les disques optiquesdisques optiques, l'information est lue à l'aide d'un rayon laserlaser, l'état vitreux ou cristallin se traduisant par des réflectivités différentes. Dans une mémoire, c'est la différence de résistivitérésistivité qui est utilisée, la différence de résistance indiquant si la cellule mémoire contient un 0 ou un 1.
D'après les premiers tests, les performances d'Onyx sont encore insuffisantes. Les auteurs expliquent que ce SSD à PCM allègeallège le travail du processeur de 20 à 51 % par rapport aux SSD actuels du commerce. Pour la lecture, Onyx les « surpasse » en vitessevitesse. Mais pour l'écriture, cela dépend... Pour des petits blocs de données, le SSD expérimental se révèle plus rapide « de 72 à 120 % » mais le débitdébit s'écroule pour les blocs de plus grandes tailles. Conclusion optimiste des auteurs : les performances de la première génération de SSD à PCM sont déjà presque au niveau des actuelles mémoires Flashmémoires Flash et il n'y a donc pas de doute que les modèles à venir les surclasseront nettement « pour de nombreuses applicationsapplications ».
