Intel fabrique la première mémoire SRAM à 45nm

Le prototype actuellement développé par IntelIntel n'est encore qu'une démonstration de la technologie 45nm. Selon le vice-président, Bill Holt, cette technologie offrira aux futurs ordinateurs de meilleures performances par unité de puissance avec notamment une diminution notable des courants de fuitecourants de fuite. Comparé au procédé à 65nm, la technologie 45nm permet de doubler la densité de transistors, d'augmenter de 20% les vitessesvitesses de commutation et de réduire de 30% la puissance de fonctionnement.

Le composant de test fabriqué par Intel intègre plusieurs circuits (mémoire, registre, boucle à verrouillage de phase, etc) et sa taille (119 mm²) ne dépasse pas celle d'un ongleongle. Avec les mêmes dimensions, le procédé 130nm employé 6 ans auparavant permettait de stocker 18 Mb de données comparé à 153 Mb pour la puce actuelle.

Intel aurait déclaré que le procédé de fabrication à 45nm intégrerait des interconnections en cuivrecuivre, des diélectriquesdiélectriques à très faible permittivitépermittivité ("low-k"), du siliciumsilicium contraint et d'autres technologies avancées. Les chercheurs de la compagnie n'ont cependant pas dévoilé le matériaumatériau choisi (dioxyde de silicium ou diélectrique "high-k") pour la capacité de grille. Intel prévoit également d'utiliser la photolithographiephotolithographie à 193 nm plutôt que la lithographielithographie par immersion comme cela avait été annoncé par certains experts.

Avec un temps de mise en production d'environ un an et demi, Intel prévoit de lancer la production à grande échelle des premiers circuits à partir du deuxième semestre de 2007. Ces mémoires seront fabriquées sur des sites de production aux Etats-Unis (Arizona, Oregon) et en Irlande.

Par Raphaël Allègre