Le CEA signe un contrat de R&D avec l'Alliance Crolles 2

Les nouvelles technologies étudiées cibleront la fabrication de composants de 45 puis 32 nanomètres². Elles seront développées sur des tranches de silicium de 300 millimètres de diamètre. Ce nouveau standard répond à un impératif technique et économique pour l'industrie de la microélectronique. En effet, les circuits produits intégrant un nombre croissant de transistors, leur taille augmente régulièrement. De plus, le recours à des plaques de silicium d'un plus grand diamètre permet de réduire les coûts de production.

Les recherches seront menées par le CEA Léti (Laboratoire d'électronique et des technologies de l'information du CEA) au sein de la plate-forme Nanotec 300, inaugurée le 21 avril dernier à Grenoble. Cette plateforme comprend 1000 mètres carrés de salles blanches et de nombreux équipements de fabrication et caractérisation des composants sur tranches de 300 millimètres.

Axé sur la recherche technologique amont, Nanotec 300 vient compléter le dispositif de recherche et développement mis en place par les trois partenaires industriels de l'Alliance à Crolles en 2002. La proximité des deux sites favorise le couplage étroit des travaux de recherche, notamment en permettant l'échange des mêmes plaques de silicium. Cette organisation a déjà fait ses preuves entre le CEA Léti et STMicroelectronics pour le 200 millimètres. Elle permet d'optimiser les investissements, le CEA Léti se dotant des équipements complémentaires.

Le financement du projet Nanotec 300 - 300 millions d'euros - a été réalisé grâce au soutien de l'Etat, des industriels de l'Alliance et des collectivités locales : Région Rhône-Alpes, Conseil général de l'Isère, Ville de Grenoble et Métro (communauté de communes de l'agglomération grenobloise). Nanotec 300 s'inscrit comme l'une des composantes clés du projet MinatecMinatec, soutenu par l'ensemble des acteurs publics et privés qui vise à faire de la région grenobloise le premier pôle d'excellence européen dans les micro et nanotechnologiesnanotechnologies.

Nota :

¹La technologie CMOSCMOS est destinée au développement de systèmes à très haute échelle d'intégration (VLSI) grâce aux propriétés de transistors MOS complémentaires (Complementary Metal Oxyde Silicon). Elle permet de réaliser des circuits à faible coût et à basse consommation. La technologie CMOS est aujourd'hui considérée comme la technologie de pointe la plus avancée dans le domaine de la microélectronique.
²1 nanomètre = 10-9 mètre (1 milliardième de mètre). La taille minimale des composants fabriqués actuellement par les industriels est de 90 nanomètres.