Comment positionner des nanotubes de carbone exactement comme on le souhaite ? Répondre à cette question permettrait aux scientifiques de franchir l'un des principaux obstacles qui se dressent devant eux, quand il s'agit de fabriquer des systèmes électroniques dans le nanomonde. Des chercheurs d'IBM ont trouvé une piste…

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    Comment contrôler la position des nanotubes de carbone dans un transistor ? <br />Une équipe de recherche d'IBM pense avoir trouvé une recette...

    Comment contrôler la position des nanotubes de carbone dans un transistor ?
    Une équipe de recherche d'IBM pense avoir trouvé une recette...

    Pour mettre au point leur recette, permettant d'aligner des nanotubes, les ingénieurs d'IBMIBM ont réuni les ingrédients suivants : des nanotubes de carbone, des morceaux de silicium tapissés de bandes d'oxyde d'aluminiumoxyde d'aluminium, et des molécules conçues par leur soin, ayant la particularité de se lier d'un côté à un nanotube, de l'autre à de l'oxyde d'aluminium.

    Une fois ces ingrédients à sa disposition, il « suffit » de mettre en présence, dans une solution, nanotubes et molécules. Ces dernières se lient alors aux tubes. Ensuite, en ajoutant les morceaux de silicium, les extrémités libres des molécules s'y collent tout naturellement, et les nanotubes restent en place. Dernière étape, visant à éliminer les molécules : porter le silicium à 600 degrés Celsiusdegrés Celsius.

    Concernant la fabrication de composants électroniques à l'échelle du nano, cette technique est porteuse d'espoir. Jusqu'à aujourd'hui, contrôler la position des nanotubes dans un transistor restait un vrai défi. Sur les 49 tests réalisés par les ingénieurs d'IBM, 28 ont abouti à un transistor en état de marche. Autant dire un exploit dans le nanomonde !

    L'équipe de recherche précise cependant qu'il y a encore beaucoup de chemin à parcourir dans la conception de nano transistors. La recette présentée ci-dessus a l'inconvénient d'être très onéreuse. L'objectif des chercheurs est maintenant de réduire les coûts de fabrication des nano transistors.