Dans un communiqué de l'université de Southampton, au Royaume-Uni, on apprend que des ingénieurs ont mis au point une méthode pour fabriquer des transistors bipolaires deux fois plus rapides que ceux présents actuellement sur le marché.

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    Grâce au fluor, un nouveau record de fréquence a été obtenu par des ingénieurs de l'université de Southampton <br /> (Crédits : Southampton University)

    Grâce au fluor, un nouveau record de fréquence a été obtenu par des ingénieurs de l'université de Southampton
    (Crédits : Southampton University)

    Ce sont des ingénieurs de l'université de Southampton, et plus particulièrement de son école d'électronique et d'informatique (ECS), qui sont parvenus à cet exploit. En collaboration avec STC Microelectronics, ils ont doté des transistors bipolaires au silicium conventionnels d'implantsimplants de fluor et sont ainsi parvenus à les cadencer à la fréquence exceptionnelle de 110 GHz. Une fréquence deux fois supérieure au record actuel en la matière !

    Le professeur Peter Ashburn, qui supervisait ces travaux, a expliqué que la présence des implants de fluor permettait d'empêcher la diffusion du borebore à la base du transistor, de rétrécir ainsi la largeur de cette base et, in fine, de faire circuler plus rapidement les électronsélectrons. « Ce résultat montre que l'industrie électronique NDLRNDLR : notamment les fabricants de téléphones mobilesmobiles et d'autres systèmes sans-fil a la possibilité d'obtenir de meilleures performances, et ce pour un surcoût modéré. », a-t-il déclaré. Ainsi, cette avancée a permis d'obtenir avec du silicium des performances comparables à celles des transistors SiGe (silicium-germaniumgermanium).

    L'équipe étudie actuellement le comportement du fluor et recherche d'autres matériaux susceptibles de stopper la diffusion du bore.